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意法半導體推出第三代碳化硅功率器件 徹底解決新能源車2大痛點

來源:快科技

碳化硅(Sic)功率器件的耐高壓、耐高溫、低損耗、體積小等能優勢可滿足新能源行業的發展需求,直擊電動車的“里程焦慮”與“充電焦慮”兩大痛點,也被譽為替代IGBT的最佳人選。

日前,意法半導體中國宣布,正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管,推進在電動汽車動力系統功率設備的前沿應用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠為重要目標的場景應用。

隨著電動汽車市場加速發展,許多整車廠商和配套供應商都在采用 800V驅動系統,以加快充電速度,幫助減輕電動汽車重量,新的800V系統能夠幫助整車制造商生產行駛里程更長的汽車。

意法半導體的新一代SiC器件專門為這些高端汽車應用進行了設計優化,包括電動汽車動力電機逆變器、車載充電機、DC/DC變換器和電子空調壓縮機。

官方表示,新一代產品還適合工業應用,可提高驅動電機、可再生能源轉換器和儲能系統、電信電源、數據中心電源等應用的能效。

意法半導體目前已完成第三代SiC技術臺相關標準認證,從該技術臺衍生的大部分產品預計在2021年底前達到商用成熟度。標稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市,為設計人員研發從市電取電,到電動汽車高壓電池和充電機供電的各種應用提供更多選擇。首批上市產品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。

標簽: 碳化硅功率器件 新能源行業 里程焦慮 充電焦慮

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